Theo thông tin trên trang ETNews tại Hàn Quốc, Samsung sẽ có bước đột phá lớn trong năm tới. Nguồn tin đề cập đến khả năng mẫu điện thoại Galaxy S9 được trang bị bo mạch chủ tiên tiến, dựa trên công nghệ SLP (viết tắt của Substrate Like PCB). SLP cho phép nhà sản xuất đặt nhiều linh kiện hơn trong cùng diện tích bằng cách giảm các mối tiếp xúc lên bảng mạch và xếp chồng nhiều lớp lên nhau.
Nhiều chuyên gia cho biết công nghệ này sẽ giúp Samsung đặt gắn viên pin lớn hơn cho các thế hệ Galaxy S tiếp theo mà không làm tăng kích thước máy. Tuy nhiên, ETNews hé lộ SLP chỉ có thể sử dụng cho các thiết bị sử dụng bộ vi xử lý Exynos, các chip Snapdragon của Qualcomm sẽ không tương thích do vẫn dùng công nghệ HDI.
Trước đây, cùng một mẫu máy, Samsung tạo ra phiên bản bộ vi xử lý Exynos và Qualcomm để phục vụ cho thị trường trong và ngoài nước. Nếu điều tương tự xảy ra, mẫu Galaxy S9 với bo mạch chủ SLP sẽ có lượng pin lớn hơn hoặc thiết bị sử dụng chip Snapdragon sẽ phải tăng kích cỡ máy để mang cùng dung lượng.
Công nghệ xếp chồng các lớp linh kiện cho phép thiết kế pin hình chữ L (hình giữa), có thể cũng sẽ xuất hiện trên mẫu iPhone 8 vào cuối năm nay. |
Thông tin mới nhất gợi nhớ tới sự cố Galaxy Note 7 hồi năm ngoái, khi Samsung cố gắng đặt viên pin vào khung máy quá hẹp và gây nên hậu quả nghiêm trọng (hãng đã tân trang máy với viên pin nhỏ hơn, mang tên gọi mới Galaxy Note FE).
Galaxy S9 có thể được trang bị Snapdragon 845, tốc độ tải 1,2 Gb/s Galaxy S9, LG G7 là hai trong nhiều model điện thoại có thể được trang bị bộ vi xử lý Snapdragon 845. |
Xuất hiện những thông tin về bộ đôi Galaxy S9/S9 Plus Galaxy S9 và S9 Plus sẽ có tên mã là Star và Star 2, tiếp tục sử dụng công nghệ màn hình "không viền" Infinity ... |
Galaxy S9 và iPhone 9 có thể sẽ sở hữu khả năng gập đôi như ví Theo một báo cáo mới ra, smartphone gấp có thể sẽ là sản phẩm được nhiều ông lớn công nghệ hướng tới, trong đó bao ... |